Die Einführung des VIVO-Systems an der HTWD befindet sich derzeit in der Testphase. Daher kann es noch zu anwendungsseitigen Fehlern kommen. Sollten Sie solche Fehler bemerken, können Sie diese gerne >>hier<< melden.
Sollten Sie dieses Fenster schließen, können Sie über die Schaltfläche "Feedback" in der Fußleiste weiterhin Meldungen abgeben.
Vielen Dank für Ihre Unterstützung!
Understanding strain-induced drive-current enhancement in strained-silicon n-MOSFET and p-MOSFET.
Artikel