ausgewählte Veröffentlichungen

• Artikel

  • Stress Memorization Technique for n-MOSFETs: Where is the Stress Memorized? 2010
  • Detailed simulation study of embedded SiGe and Si:C S/D stressors in nano scaled SOI MOSFETs 2010
  • Effect of source/drain extension dopant species on device performance of non-diffuse embedded SiGe strained SOI P-MOSFETs. 2010
  • Simulation of asymmetric doped high performance SOI MOSFETs for VLSI CMOS technologies 2010
  • Understanding strain-induced drive-current enhancement in strained-silicon n-MOSFET and p-MOSFET. 2010

• Dokument

  • Entwicklung von energieeffizienten Hochleistungstransistoren.  WissenD das Magazin der Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden , Vol.20(2), pp. 20-23. 2012